第1～3个月文献研读，确认研习题目与实验方案

        第4～6个月熟悉设备与制程技术，完成初步预实验

        第7～12个月系统X实验C作，收集材料与元件X能数据

        第13～18个月优化制程参数与材料结构，分析X能改善机制

        第19～24个月整理研习成果，完成研习报告及学术发表稿

        七、预期成果

        1.熟练掌握半导T材料、元件制程及分析技术。

        2.完成研习报告，并具备论文撰写与学术发表能力。

        3.提出新型半导T材料或元件X能改善策略，具有学术与产业应用价值。

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