四、研习研究问题与假设

        1.研究问题

        -新型半导T材料或奈米结构能否有效提升元件效能并降低功耗？

        -制程参数沉积速率、氧化条件、热处理等对元件电X有何影响？

        2.研究假设

        -材料改X或奈米结构设计可提升电子迁移率，降低阈值电压及功耗。

        -优化制程条件可改善元件X能稳定X并提高制作良率。

        五、研习与研究方法

        1.文献研习与资料整理

        -系统半导T元件、材料及制程相关SCI期刊与专利文献。

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